전회1(CH5)_MOSFET DC 특성 및 기본 DC 회로(8): Body Effect

Body Effect

 

1) 우리는 앞에 과정까지는 Body에 대해서 B-S의 Foward Bias가 발생하지 않는 것만 유의해왔다.
--> 즉, Body와 Source를 묶어놓는 상황만 고려했다

 

2) 그러나 실제로는 Degeneration과 같이 VS 전압을 0보다 크게 잡게 되어 Body to Source의 역전압을 거는 경우가 있다.

--> 이 상황이어도 회로에 아무런 영향이 없을까? NO!!

--> 외울 필요는 없지만 Vth는 VSB의 전압과 관련된 식으로 도출된다.

--> 수식에 따르면 VS>0일 때 VSB가 커지게 되고 이에 따라 Vth가 커지는 효과가 발생한다.

--> IDS 수식에 따라 Vth가 커지면, IDS가 줄어드는 효과가 연달아 발생한다.

--> 즉, DC적으로는 Body to Sub에 역전압을 위해 VSB를 키우면 --> Leakage는 잡지만, Vth 상승에 따른 IDS 감소라는 대가를 치러야한다.

 

3) AC적인 요소도 작용을 하는데 이 유도 과정은 라자비등의 교재를 참고하고 결론만 말하겠다.

--> Vsb에 의한 전압은 id와 반대 방향으로 전류를 발생시킨다.

--> 즉, AC 적으로도 id를 줄어들게 하는 영향을 주게 된다.

Body Effetct란

Body to Sub의 역전압을 걸기 위해 VSB or vsb가 커지면

1) DC적으로는 Vth가 상승하여 IDS가 줄어들고
2) AC적으로는 id와 같은 방향으로 gmb*vbs가 발생해 id가 줄어드는 효과가 나타난다.